Ja genau, wird im BIOS verstellt. Der Speicher läuft immer mit den kleinsten Timings am Schnellsten. Zusätzlich gibt es noch ein paar andere Faktoren, die die Geschwindigkeit verbessern, z.B. interleaving.
Hab mal die Bezeichnungen (Epox) mit den optimalen Einstellungen hier aufgeführt:
Die Einstellungen heissen:
SDRAM Cycle length --> (optimal) 2
Bank Interleave --> 4 Bank
Precharge to Active -> 2 T
Active to Precharge -> 5 T
Active to CMD -> 2T
DRAM Burst Length -> 4
DRAM Queue Depth -> 8 level
DRAM Command Rate -> 1 T
Fast R-W Turn around -> Enabled
Contineous DRAM Request -> Enabled
write Recovery Time -> 2T
Was du davon in welcher Zusammenstellung aktivieren kannst, ist viel Fummelarbeit, aber cl2 sollte bei Samsung immer gehen. Den Rest einfach mal auf Einstellung "normal" auf Standard setzen und sich dann immer weiter an das Optimum herantasten. Oder auf Turbo und hoffen das alles geht
Aber kannst beruhigt sein, dem Speicher macht das nichts. Wenn die Timings zu schnell gewählt waren, gibts nen spontanen Reset.
Gruss
siggi