Intel stellt Quadratmikrometer große SRAM Zelle vor 17.03.2002 15:37 - ID 1275
Forscher der Intel Corporation haben die weltweit kleinste SRAM (Static Random Access Memory) Speicherzelle hergestellt, die lediglich 1 Quadrat-Mikrometer (µm2) groß ist. Diese SRAM-Zelle wurde als Teil eines voll funktionsfähigen SRAM Speicherchips hergestellt, unter Verwendung von Intels 90 Nanometer (nm) Prozesstechnologie der nächsten Generation in der Halbleitertechnik. Die vollständige Pressemitteilung finden Sie im weiteren Bereich dieser News.
Intel stellt Quadratmikrometer große SRAM Zelle vor 
Intel stellt Quadratmikrometer große SRAM Zelle vor 
Linear-Darstellung
