Samsung produziert erste 256 Mbit Pseudo-SRAMs Donnerstag, 08. Sep. 2005 04:23
Samsung hat das erste 256 Mbit Uni-Transistor Random Access Memories in 90 nm-Technik entwickelt und kann noch in diesem Monat erste Muster an Hersteller von Mobiltelefonen liefern. Pseudo-SRAMs werden zur Leistungssteigerung in Mobiltelefonen benötigt.
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