[News] Samsung: 4-Gigabit-DDR3-Bausteine in 40 Nanometer

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Samsung: 4-Gigabit-DDR3-Bausteine in 40 Nanometer
25.02.2010 08:51 - ID 17909

Samsung hat 4-Gigabit-Speicherbausteine vorgestellt, die in der 40-nm-Technologie gefertigt werden. Die größten Speichermodule mit den Bausteinen weisen eine Kapazität von 32 Gigabyte auf.

Samsung: 4-Gigabit-DDR3-Bausteine in 40 Nanometer

[DaKarl]

Wie sieht denn dann so ein 32GB Speichermodul aus? Das müsste ja dann 64 solcher Chips tragen. Normale Riegel haben doch immer nur 16 Chips?!?

[BigBoymann]

Hab ich mich auch gerade gefragt, 16x4/8 sind doch 8GB oder???

Aber mal unabhängig davon; ich hab hier neben mir nen Server mit 16 RAM Bänken,

*rechne*

16x32=512GB RAM

*lechz

[DaKarl]

Bei Server-RAM ja dann noch mehr Chips
Die haben doch immer 18 statt 16 je Riegel (8 + 1 fürs ECC Bit)

[Fr@ddy]

Bin ja mal gespannt wann die lieferbar sind und zu welchen Preisen.
Aber ich schätze mal das ich in naher Zukunft max. 8GB Module in die Finger bekomme.

[chrisr15]

Server haben sogar 36 Pro Riegel. Ein Beispiel: http://www.valueram.com/datasheets/K...D3D4R9S_8G.pdf

Ich halte Bausteine für einen "Übersetzungsfehler", so wie ich es verstanden habe handelt es sich um eine "Sandwich"-Methode, durch welche man 2-Die's mit je 4GBit zu einem Stein vereint.

Macht für den normalen Riegel: [(4 GBit) * 2] * 16 = 16GB
Dann die oben erwähnten Server-Riegel: [4GBit * 2] * 32 = 32GB