Ganz ausführlich:
CAS Latency:
Wenn synchrones DRAM installiert ist, hängt die Menge der Taktzyklen bei der CAS Wartezeit vom DRAM Timing ab. Die Einstellmöglichkeiten sind 2 oder 3 Taktzyklen.
CAS Latency Time:
Unter dieser Option wird die Latenz zwischen dem DRAM -Lesebefehl und der zeit, zu welcher die Daten tatsächlich zur Verfügung stehen, eingestellt. Einstellmöglichkeiten: 1.5 und 2.5
T(RAS):
Diese Option legt die Anzahl der Taktzyklen fest, bevor der DRAM nach dem aktiven Zustand erneut geladen werden kann. Einstellmöglichkeiten: 1 ~ 15
T(RP):
Dieser Menüpunkt legt die Anzahl der vor dem erneuten Laden für Row Address Strobe (RAS) zu gestattenden Zyklen fest. Wenn die Zeit für den RAS nicht ausreicht, um vor dem DRAM-Refresh Ladung anzusammeln, ist der Refresh vielleicht unvollständig, und der DRAM kann Daten verlieren. Diese Option trifft nur zu, wenn im System synchroner DRAM installiert ist. *Einstellmöglichkeiten: 1 ~ 7
T(RCD):
Diese Option ermöglicht Ihnen, die Zeit für den Übergang von RAS (Row Address Strobe) nach CAS (Column Address Strobe) festzulegen. Je kleiner die Anzahl der Taktzyklen ist, desto besser ist die DRAM Performance. *Einstellmöglichkeiten: 1 ~ 7
Kurz: 2-2-2-5 = Schnell aber instabil AMD empfiehlt übrigens immer am ende die "7" also 2-2-2-7!!!
Der A-Data ist für massig Takt ausgelegt. Versuche ihn mal mit
CL 2-2-2-7 zu fahren. geht das nicht versuch 2-3-2-7...
geht das auch nicht versuch 2-3-3-7 und wenn das nicht geht 2,5-3-3-7 und zu guter letzt 3-3-3-7!!!
Die Werte hab ich jetzt für bis zu 466Mhz Empfohlen. Denk dran die Spannung auf 2,7 Volt zu stellen wenn du agressive Timings fährst!
Wie gesagt Wert kleiner = Schneller!
Ah noch für etwas unterbelichtete
(witz)
z.B. 2-3-2-7 = CAS Latency - T (RP) - T (RCD) - T (RAS)
MFG
Das - Weberli
:P