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Intel produziert in Irland auf 300 mm-Wafern

Montag, 14. Jun. 2004 13:10 - [fs] - Quelle:

Die neueste Wafer-Fabrik von Intel hat ihre Produktion aufgenommen. Die 2 Milliarden US-Dollar teure Fabrik wird auf 300 mm-Wafern neue Prozessoren im 90 nm-Verfahren herstellen. Intel will mit dieser Anlage die Produktionsausbeute erhöhen und die Kosten senken.

Pressemitteilung Intel startet 300 mm Produktion in neuester Wafer-Fabrik in Irland Feldkirchen / Leixlip, Irland, den 14. Juni 2004 - Die neueste Wafer-Fabrik der Intel Corporation hat ihre Produktion aufgenommen. Die 2 Milliarden Dollar teure Fab 24 stellt 300 mm Wafer unter Verwendung der führenden 90 Nanometer (nm) Prozesstechnologie von Intel her. Die Fab 24 ist die vierte 300 mm Fertigungsstätte des Unternehmens. Damit besitzt Intel weltweit die größten Fertigungskapazitäten für 300 mm Wafer und ist in der Lage, die ca. 2,5-fache Anzahl Computer-Chips pro Wafer zu produzieren. Außerdem ist die Fab 24 die dritte Fabrik von Intel, die Halbleiter mit Strukturen von 90 nm (das entspricht dem 90 milliardsten Teil eines Meters) herstellen kann. Rund 1.000 dieser Leiterbahnen nebeneinander gelegt entsprechen der Dicke eines menschlichen Haares. "Diese neue Fabrik verkörpert das Engagement von Intel hinsichtlich führender Massenfertigungskapazitäten", sagte Craig Barrett, Intel Chief Executive Officer. "Die Kombination aus den Effizienzsteigerungen, die sich aus der 300 mm Technologie ergeben und der herausragenden Erfolgsgeschichte unserer Belegschaft macht diese Fertigungsstätte weltweit zu einer der besten ihrer Art. Intels führende Rolle im Bereich der Fertigungstechnologien erlaubt uns, den Bedarf unserer Kunden auf der ganzen Welt zu decken." Die größeren 300 mm Wafer führen zu niedrigeren Produktionskosten und senken die Kosten für einzelne Komponenten um rund 30 Prozent. Außerdem benötigt diese Technologie im Vergleich zur vorherigen Technologiegeneration 40 Prozent weniger Energie und Wasser für jeden einzelnen Computer-Chip. Der 90 nm Prozess ermöglicht eine Verdopplung der Transitordichte auf einem gegebenen integrierten Chip gleicher Größe. Zudem kommt zum ersten Mal innerhalb der Industrie eine neue Prozesstechnologie mit der Bezeichnung "Strained Silicon" zum Einsatz, mit deren Hilfe die Transistoren beschleunigt werden. Das "Strained Silicon" dient der Verbesserung der Leistung. Im Gegenzug kann es den Energiebedarf senken, wenn zusätzliche Leistung gerade nicht benötigt wird.
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