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Samsung: 4-Gigabit-DDR3-Bausteine in 40 Nanometer

Donnerstag, 25. Feb. 2010 08:51 - [tj]

Samsung hat 4-Gigabit-Speicherbausteine vorgestellt, die in der 40-nm-Technologie gefertigt werden. Die größten Speichermodule mit den Bausteinen weisen eine Kapazität von 32 Gigabyte auf.

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Dank der neuen Fertigungstechnologie will Samsung den Energieverbrauch der Speicherbausteine um bis zu 35% gesenkt haben, was insbesondere in Serversystemen von Bedeutung ist. 

Für die bietet Samsung auch DDR3-Module mit bis zu 32 Gigabyte Kapazität auf Basis der neuen Chips an. SODIMMs für Notebooks können bis zu 8 Gigabyte tragen.

Ganz neu sind die 32-GB-Bausteine übrigens nicht. Ende 2009 hatte Samsung bereits entsprechende Module in 50-nm-Technologie präsentiert.


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