IBM, Globalfoundries und Samsung: Bald "Gate-Last" Chip-Fertigung?

Bislang war für IBM, Globalfoundries, Samsung und andere, die sich in einer strategischen Allianz zur Erforschung neuer Prozesstechnologien zusammengeschlossen haben, "Gate-First" angesagt.

Bei der Implementation von High-K Metal Gates gibt es zwei verschiedene Ansätze, wann das Gate während der Halbleiter-Produktion gefertigt wird: vor Source und Drain oder danach.

Während Intel, TSMC und UMC bereits seit Längerem auf die Kombination High-K und "Gate-Last" setzen, wollte die Gruppe um IBM ab für 32 nm, 28 nm und kleinere Nodes das "Gate-First" Prinzip anwenden.

Nun sieht es jedoch so aus, als ob nur 32 nm und 28 nm mit dem "Gate-Last" Ansatz gefertigt werden. Nach Ansicht von Gary Patton, Vize-Präsident des Semiconductor Research and Development Center bei IBM, ist der "Gate-Last" Ansatz ab 20 nm aus Kostengründen besser.

Das Umdenken soll jedoch nicht für Verzögerungen sorgen. IBM hat parallel zum "Gate-First" Ansatz auch am "Gate-Last" gearbeitet und von Samsung sind auch schon seit Längerem Ambitionen in Richtung "Gate-Last" bekannt.