Micron: DDR3L-RS-Speicher im 30-Nanometer-Verfahren angekündigt

Die DDR3L-RS-Module von Micron sollen sich vor allem durch einen extrem niedrigen Energieverbrauch positiv von der Konkurrenz abheben. Geplant sind sowohl Module mit zwei Gigabyte und Module mit vier Gigabyte Speicherkapazität .

Das Kürzel "RS" steht für "Reduced Standby" und deutet den niedrigen Verbrauch im nicht aktiven Modus an. Im normalen Betrieb werden die 30-nm-Module mit 1,35 Volt betrieben.

Genaue Werte wurden zu den neuen Modulen von Micron nicht veröffentlicht, jedoch präsentiert der DRAM-Konkurrent Hynix einen Prototyp im 20-nm-Verfahren, welcher eine Reduktion des Energiebedarfs um 70 Prozent zu den derzeitigen Module aufwies.

Micron ist damit der erste Hersteller, welcher offiziell zertifizierte DDR3L-RS-Modelle auf den Markt bringen wird. Erwartet wird, dass die Modelle in Zusammenarbeit mit Intels Ivy-Bridge-Prozessoren auch in Ultrabooks zum Einsatz kommen werden.