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Toshiba und SanDisk planen Flash-Speicher im 15-nm-Verfahren

Donnerstag, 24. Apr. 2014 06:30 - [ar] - Quelle: heise.de

Die beiden Speicherspezialisten Toshiba und SanDisk wollen noch in diesem Jahr mit der Fertigung von Flash-Speicherchips im 15-nm-Verfahren beginnen.

Die neuen 15 nm Chips selbst sollen eine Speichergröße von 16 Gigabyte besitzen. Zum Einsatz kommen dabei Triple-Level-Cells, bei denen drei Bits pro Zelle gespeichert werden können. Die Speicherchips sollen später sowohl in SSDs als auch USB-Sticks verbaut werden.

Bislang setzen beide Hersteller auf das 19-Nanometer-Verfahren mit MLC-Technik (Multi-Level-Cells). In diesen Zellen können nur maximal zwei Bits pro Zelle gespeichert werden. Durch die neue Technik in dem kleineren Fertigungsverfahren werden mehr Chips pro Wafer produziert werden können, was die Kosten der Produktion senken soll, sobald die Yield-Rate (Ausbeute der Chips) ein rentables Maß erreicht hat. Konkurrent Samsung setzt in der SSD 840 Serie bereits erfolgreich TLC Chips ein.

Im Vergleich zu SLCs (Single-Level-Cells), welche meist bei Enterprise-Produkten zum Einsatz kommen, verringern sich die Lösch- und Schreibzyklen der Zellen erheblich, so dass die neueren Produkte eine kürzere Lebenszeit vorausgesagt wird.


(Bild: OCZ Vertex 460 mit 19-nm-MLC-NAND-Chips)

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