Toshiba und WD präsentieren ersten 3D-NAND mit 64 Lagen

Aktuell werden 3D-NAND-Flashspeicher mit 48 Lagen produziert. Die Chips mit 48 Lagen werden auch BiCS2-NAND bezeichnet, der Nachfolger BiCS3-NAND mit 64 Lagen wurden nun erstmals vorgestellt. Durch die weiteren Lagen wird sich die Kapazität der NAND-Bausteine um bis zu 40 Prozent erhöhen und gleichzeitig sollen die Produktionskosten sinken, da mehr Chips auf einem Wafer produziert werden können. An der TLC-Technik für die NAND-Speicherzellen wird weiterhin festgehalten, sodass jede Zelle bis zu drei Bits speichern kann.

Insgesamt sollen die neuen Chips eine Kapazität von bis zu 256 Gigabit aufweisen und damit den V-NAND-Chips von Samsung gleichziehen. Die Produktion der BiCS3-NAND-Chips soll in der in diesem Jahr fertiggestellten Fab 2 von Toshiba und WD in Japan erfolgen. Die Massenproduktion der ersten BiCS3-NAND-Chips ist allerdings erst im Q1 2017 geplant.

(Bild: Die ersten Prototypen von BiCS-NAND mit 64 Lagen)