Samsung: Start der 3D-V-NAND-Produktion der 4. Generation

Die ersten Prototypen der 3D-V-NAND-Speicherchips mit 64 Lagen haben Samsung und Toshiba bereits vor rund elf Monaten präsentiert. Nun vermeldet Samsung das die Massenproduktion der Chips angelaufen ist. Während die Massenproduktion wegen nicht genau benannter Probleme häufiger verschoben werden musste, sollen nun bereits Speicherchips mit 256 Gbit vom Band laufen, die auf der vierten Generation der 3D-V-NAND-Technologie basieren und mit 64 Lagen ausgestattet sind.

Bei Samsung wird dabei weiterhin auf die TLC-Speicherzellen gesetzt, die drei Bits pro Zelle speichern können. Die neueste Generation soll dabei die geringsten Produktionskosten besitzen und gleichzeitig die schnellsten Chips liefern. Im Vergleich zu dem 2D-NAND-Verdahren soll sich die Geschwindigkeit um das 10-fache erhöht haben, darüber hinaus besitzen die neuen Chips eine deutlich bessere Effizienz.

Künftig sollen neuen 3D-VNAND-Chips mit bis zu 512 Gbit oder sogar 1 Terabit produziert werden. Die Anzahl der Layer ist von 64 auf bis zu 96 gestiegen, damit die Speicherkapazität sowie die Geschwindigkeit von NAND-Flash-Modulen noch einmal deutlich anzieht.

(Bild: 3D-VNAND der vierten Generation von Samsung)