Rambus will eigenen DDR5-RAM und HBM3 entwickeln

Auf der letzten Investorenkonferenz hat Rambus die Entwicklung von DDR5-RAM und HBM3 größer thematisiert. Das Unternehmen will aktiv in die Entwicklung der Speichertechnologien einsteigen und auch eigene Lösungen präsentieren. Dabei soll HBM3 die Geschwindigkeit von HBM2 verdoppeln. Bereits bekannt ist, dass der HBM3 von Samsung und SK Hynix nicht die Bandbreite von HBM2 verdoppeln kann. Gefertigt werden soll der HBM3 von Rambus bereits im 7-nm-Verfahren, was darauf schließen lässt, dass Rambus den Speicher noch nicht im nächsten Jahr veröffentlichen wird.

Ebenfalls soll der DDR5-Speicher im 7-nm-Verfahren produziert werden. Die Geschwindigkeit des RAMs soll 4,8 bis 6,4 GB/s pro Speicherchip erreichen. Die Entwicklung von DDR5-RAM hat Rambus bereits im September für den Server-Markt angekündigt. In den letzten Jahren hat Rambus vor allem mit dem Besitz von Lizenzen und Patente einen lukrativen Umsatz von mehr als 100 Millionen US-Dollar erzielen können.

(Bild: Pläne von Rambus für die Entwicklung von DDR5- und HBM3-Speicher)