SK Hynix arbeitet an HBM2E DRAM mit höherer Bandbreite

SK Hynix arbeitet aktuell an der Weiterentwicklung von HBM-Speicher. Der neue HBM2E-DRAM-Speicher soll eine Bandbreite von bis zu 460 GB/s unterstützen und damit auf eine Geschwindigkeit von bis zu 3,6 Gbit/s pro Pin mit 1.024 Daten-I/Os kommen. Darüber hinaus soll die Datenkapazität sich im Vergleich zu dem HBM2-Standard verdoppeln.

Durch die Nutzung von TSV-Technologie (Through-Silizium-Via) werden bis zu 16 Gigabit Chips vertikal gestapelt und bilden ein Paket aus 16 Gigabyte Datenkapazität. Die HBM2E-Lösungen werden vor allem für High-End-Grafikprozessoren, Supercomputer und Systeme zum maschinellen Lernen entwickelt.

SK Hynix arbeitet seit 2013 an HBM -Speichern und will die Technologie weiter voranbringen. Die  Serienproduktion von HBM2E-Speicher ist für 2020 angesetzt, sodass entsprechende Produkte im kommenden Jahr angeboten werden können.

Samsung hat den neuen HBM2E-Speicher bereits im März 2019 vorgestellt, ohne jedoch konkrete Fertigungspläne zu nennen.