Kioxia stellt neue 112-Lagen-BiCS-Flash-Speicher vor

Erstmals präsentiert Kioxia die neue Flashspeicher-Technologie, welche mit 112 vertikal geschichteten Layern ausgestattet ist.

Die ersten Muster der neuen BiCS-Generation setzten auf die TLC-Speicher der Tripple-Level-Cell-Technologie und können bis zu drei Bits pro Zelle speichern. Aktuell werden Speicher mit 64 bis 512 Gigabyte getestet, welche voraussichtlich noch im ersten Quartal 2020 angeboten werden können.

Mit der neuen Prozesstechnologie soll es Kioxia gelingen bis zu 1,33 Terabit-Quadruple-Level-Cell-Chips zu realisieren und damit noch höhere Speicherkapazitäten sowie schnellere Übertragungsraten zu realisieren. Die neue 112-Layer-Stapelprozesstechnologie kann mit einer rund 20 Prozent höheren Datendichte auf dem gleichen Waferplatz wie die 96-Layer-Technologie aufwarten und soll damit die Preise für NAND-Flashspeicher weiter senken können. Gleichzeitig reduziert sich die Leselatenz und die Schnittstellengeschwindigkeit der SSDs.

Die fünfte BiCS-Generation wurden gemeinsam mit dem Technologie- und Produktionspartner Western Digital Corporation entwickelt.