500 GHz erreicht, 1000 im Visier

Der Chip auf Silizium-Germanium Basis muss allerdings auf -268,5 Grad Celius abgekühlt werden, um die 500 GHz zu erreichen. Dies wurde mit flüssigem Helium bewerkstelligt.

Aber auch bei normalen Temperaturen können sich die Werte des SiGe-Chips durchaus sehen lassen. Bei Raumtemperatur sind immerhin noch rund 350 GHz möglich.

Und es geht weiter. Angeblich lassen sich sogar 1.000 GHz verwirklichen. Bei SiGE-Chips können die Strompfade der Transistoren verringert werden, was die hohen Taktraten ermöglicht.

SiGe-Transistoren werden hauptsächlich im Hochfrequenzbereich eingesetzt, IBM erhofft sich durch Versuche aber auch Vorteile für die Produktion von Silizium-Schaltungen.