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Alt 29.04.2010, 10:30   #8 (permalink)
BigBoymann
Extrem Tweaker
 

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Standard AW: DDR3 vs DDR5 bei Grafikkarten

Vorteil GDDR5 ist die höhere Geschwindigkeit sowie der 4 fache Zyklus, statt einem zweifachen. Somit ist die Bandbreite bei GDDR5 deutlich höher als bei GDDR3. Höhere Bandbreite ist immer dann gut wenn Daten in den Grafikspeicher müssen. Gerade bei hohen Auflösungen hast du viel Daten und der Speicher wird schnell zu klein. Jetzt ist es wichtig den Speicher schnell mit Daten zu füttern, was eine hohe Bandbreite fördert.

GDDR3 hat dafür immer auf einen höheren Bus gesetzt, bei GDDR5 reicht in der Regel ein 256Bit Interface aus, während bei GDDR3 auf bis zu 512Bit gesetzt wurde. Durch eine Verdoppelung erreichst du auch eine Verdoppelung der theoretischen Bandbreite. In der Praxis ist es eine Milchmädchenrechnung.

Großes Interface kostet Geld in der Herstellung und wirkt sich nachhaltig auf die Gräße des Chips aus, GDDR5 ist dafür teurer als GDDR3 was sich aber wohl nicht mehr so stark auswirkt wie noch zu beginn.

Unterschied DDR3 und GDDR3: Kurz gesagt, GDDR3 basiert auf DDR2, GDDR4 auf DDR3. Ist also ein wenig verwirrend. Aber anbei mal ein kurzer Text aus Wiki.


GDDR3

GDDR3 ist eine Abwandlung von DDR2-SDRAM zur Nutzung auf Grafikkarten. Wie schon bei (G)DDR wurde mittels niedriger Zugriffszeiten und veränderter Read-Latenzen auf hohen Speichertakt optimiert. GDDR3 arbeitet wie DDR2-SDRAM mit einer VDD/VDDQ-Spannung von 1,8 V. Bei Taktraten von 500 bis 1080 MHz und Read-Latenzen von 5 bis 9 Taktzyklen ist ein maximaler Datendurchsatz von 67,5 GB/s bei 256-Bit Anbindung möglich. GDDR3 arbeitet wie der DDR2-SDRAM mit einem Vierfach-Prefetch.


GDDR4

GDDR4 verwendet einen Achtfach-Prefetch und basiert damit auf einer DDR3-ähnlichen Technik.[2] Die Verdoppelung der Anzahl von Prefetch-Bits gegenüber GDDR3 erlaubt höhere Übertragungsraten bei gleichzeitig niedrigerer Taktung der Speicherzellen. In Folge dessen konnte auch die Versorgungsspannung gesenkt werden. Der Start der Serienproduktion von GDDR4 erfolgte bei Samsung am 5. Juli 2006. Hynix bietet GDDR4-Chips mit bis zu 1,6 GHz Taktfrequenz an.[3] Im Zusammenspiel mit einem 256-Bit-Speicherinterface kann so eine Speicherbandbreite von bis zu 102,4 GB/s erreicht werden.

GDDR5

GDDR5-Chips besitzen eine Speichergröße ab 512 MBit, bei Geschwindigkeiten im Bereich von 5-7 Gb/s. Bei 2,5 GHz Taktfrequenz liefert GDDR5 pro Anschlusspin und Sekunde 5 GBit an Daten, das addiert sich bei den üblichen x32-Chips auf 20 GByte/s pro Bauelement. Grafikprozessoren mit 256 Datenleitungen für die Speicheranbindung erreichen mit acht parallel angeschlossenen 2,5-GHz-GDDR5-Chips also 160 GByte/s.

Samsung hat GDDR5 Speicher mit reduzierter Versorgungsspannung von 1,35 V angekündigt.[6]
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