[News] IBM, Globalfoundries und Samsung: Bald "Gate-Last" Chip-Fertigung?

[TweakPC Newsbot]

IBM, Globalfoundries und Samsung: Bald "Gate-Last" Chip-Fertigung?
19.01.2011 12:16 - ID 20263

Zur News: IBM, Globalfoundries und Samsung: Bald "Gate-Last" Chip-Fertigung?

IBM und seine Technologiepartner unter den Halbleiterherstellern wollen ab 20 nm nach dem "Gate-Last" Prinzip fertigen.

Hier ist eure Meinung gefragt! Postet eure Kommentare und Fragen zu den News.

[tomcatoggo]

hm... ganz ehrlich: mir sagt weder Gate-Last noch Gate-First was... in Wiki find ich dazu auch nich wirklich was... kann das bitte mal jemand in kurzen Worten erklären?

[borsti]

Zitat von tomcatoggo

hm... ganz ehrlich: mir sagt weder Gate-Last noch Gate-First was... in Wiki find ich dazu auch nich wirklich was... kann das bitte mal jemand in kurzen Worten erklären?

Feldeffekttransistor

Es geht darum, womit du beim Aufbau eines FETs beginnst.

Der Inhalt der News dürfte sich aber auch wirklich nur einem sehr kleinen Teil der Leser erschließen^^

[dr_Cox]

Übersetze Gate einfach mit Tür. Ist die Tür offen, geht was durch, wenn sie zu ist, geht nix durch.
Was durchlassen oder nicht durchlassen ist die Aufgabe eines Transistors. Die Frage um die es geht, ist ganz vereinfacht ausgedrückt:
1) Tür hinstellen und um die Tür herum das Haus bauen (Gate-First).
2) Haus bauen und dann erst die Tür einlassen (Gate-Last).

Vielleicht hilft dir auch das weiter:
High-k Metal Gate - Halbleitertechnologie von A bis Z - Halbleiter.org

LG

[Civilizatior]

Zitat von borsti

Es geht darum, womit du beim Aufbau eines FETs beginnst.

Das bekommt man auch mit wenn man die News liest

Ansonsten ist dieses "Detail" für User eigentlich belanglos.

Mir wäre es egal ob beim Haus erst die Tür oder erst das Haus selbst aufgebaut wird, solange das Resultat passt.

[borsti]

Das bekommt man auch mit wenn man die News liest

Nö, nur wenn man weiß das es bei Gate, Source und Drain um FETs geht :P