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3D XPoint: Speichertechnologie von Intel und Micron verspätet sich

Dienstag, 19. Jan. 2016 11:45 - [ar]

Der neue 3D-XPoint-Speicher, welcher von Intel und Micron entwickelt wird, soll erst 2017 fertig werden.

Im Sommer 2015 wurde die 3D-XPoint-Technologie von Intel und Micron erstmals vorgestellt. Im Vergleich zu klassischem NAND-Flashspeicher soll 3D XPoint bis zu 1.000 Mal schneller sein. IBM konnte bereits Tests des Speichers mit einer rund 275-fachen Geschwindigkeit von NAND-Flashspeicher demonstrieren. Erstmals zum Einsatz kommen sollte der 3D-XPoint-Speicher zusammen mit den Kaby-Lake-Prozessoren noch in diesem Jahr.

Wie der Chef des Intel-Micron-Jointventures IM Flash, Guy Blalock, nun allerdings andeutete, werden erste Produkte mit 3D-XPoint nicht vor 2017 auf den Markt kommen. Die neue Speichertechnologie soll erst in rund zwölf bis 18 Monaten Marktreife erlange.

Bei dem 3D-XPoint-Speicher soll es sich um eine Art von PRAM (Phase-Change Memory) handeln.


(Video: 3D XPoint Technology Revolutionizes Storage Memory)
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