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IBM: Durchbruch bei der Entwicklung von Phasenwechselspeicher

Mittwoch, 18. Mai. 2016 12:16 - [ar] - Quelle: silicon.de

Den Forschern von IBM ist es erstmals gelungen, drei Datenbits pro PCM-Zelle zu speichern und zu erhalten.

Mit der Entwicklung von Phasenwechselspeicher erhofft sich IBM die Geschwindigkeit und Haltbarkeit von DRAM mit der kostengünstigen Datendichte von Flashspeicher zu vereinen. Eine PCM-Zelle besteht im groben auf demselben Aufbau wie eine Blu-Ray-Disk, sodass in einer Zelle eigentlich nur zwei Zustände (0 oder 1) gespeichert werden können. Erstmals ist es nun die Forscher von IBM gelungen drei Bits pro Zelle zu speichern, bei einer Anordnung von 64.000 Zellen.

PCM (Phase Change Memory) ist laut Haris Pozidis, ein Manager der Gruppe IBM Research in Zürich, der erste universale Speicher mit den positiven Eigenschaften von DRAM als auch Flash. Das Besondere an dem Speicher mit drei Bit pro Zelle ist, dass die Produktionskosten nun deutlich geringer ausfallen und viel näher an Flashpodukten liegen, als an DRAM-Speicher.

Die Einsatzmöglichkeiten von PCM-Speicher ist dabei vielfältig. Neben den kompletten Ersatz von DRAM, könnte der Speicher auch als Cache von Flash-Speicher benutzt werden, wie etwa derzeit Flash-Speicher bei SSHDs als Cache von Magnetscheibenfestplatten verwendet wird. Mit der Verwendung von PCM-Speicher bei Smartphones könnten einzelne Chips für DRAM und Flashmodul Wegfallen und die Geschwindigkeit deutlich erhöht werden.

Wann PCM-Speicher allerdings marktreif sein wird, konnte noch nicht beantwortet werden.

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(Bild: PCM-Speicher von IBM)

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