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Samsung Z-NAND: SSD mit neuer Speichertechnik vorgestellt

Montag, 20. Nov. 2017 15:20 - [ar] - Quelle: samsung.com

Mit Z-NAND-Flashspeicher will Samsung dem 3D-XPoint-Speicher von Intel und Micron Konkurrenz machen.

Samsung präsentiert die neue SSD SZ985 mit 800 Gigabyte Speicherplatz. Mit diesem Laufwerk stellt Samsung das erste Modell mit Z-NAND-Flash offiziell vor. Mit schnelleren Datenübertragungsraten im Vergleich zu klassischem V-NAND-Speicher soll die SSD selbst dem Optane-Cache-Speicher mit 3D-XPoint-Technologie von Intel Konkurrenz machen können. Aktuell scheint Samsung aber noch Probleme bei den Zugriffszeiten in Verbindung mit Z-NAND-Speicher zu haben.

Die SZ985 setzt auf das PCI-Express-3.0-Interface mit vier Lanes und kann so auf ein 32 Gbit/s große Bandbreite zurückgreifen. Mit Übertragungsraten von 3,2 Gbit/s sowohl lesend als auch schreibend und IOPS von bis zu 750.000 beim Lesen und 170.000 beim Schreiben kann es das Laufwerk mit allen erhältlichen SSDs aufnahmen. Einzig die Zugriffszeit, welche mit 12 - 20 µs angegeben wird, liegt etwas höher als bei den 3D-XPoint-Speichern von Intel, die auf durchschnittlich 10 µs kommen.

Wann die Samsung SZ985 in den Handel kommen wird und zu welchem Preis ist noch nicht bekannt.

Samsung Z-NAND: SSD mit neuer Speichertechnik vorgestellt
Samsung Z-NAND: SSD mit neuer Speichertechnik vorgestellt
(Bilder: Die Samsung SZ985 und ihre Leistungsdaten)

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