SK Hynix präsentiert ersten CTF-4NAND-Flashspeicher

Der CTF-4NAND-Flashspeicher basiert auf TLC-Speicher (Triple-Level Cell) und kann damit bis zu drei Bits pro Zelle speichern. Die Massenproduktion des CTF-4NAND-Flashspeicher soll noch in diesem Jahr anlaufen.

SK Hynix kombinierte sein 3D CTF mit der PUC-Technologie (peri. under cell) , was sich von der Art und Weise der Integration von 3D Floating Gate unterscheidet. Deshalb nannte das Unternehmen das Produkt "CTF-basierter 4D NAND-Flash", um es von den aktuellen 3D NAND-Flash-Technologien zu unterscheiden.

Der neu entwickelte 4D NAND-Chip soll die Chipgröße um mehr als 30 Prozent reduzieren und die Bitproduktivität pro Wafer um 49 Prozent im Vergleich zu SK Hynix 72-Lagen 512Gb 3D NAND erhöhen. Nach Angaben des Unternehmens kann der neue Speicher eine höhere Schreib- und Leseleistung vorweisen, außerdem wird die Datenbandbreite auf die branchenweit größten 64 KB verdoppelt. Mit dem 96-lagigen 512Gb 4D NAND soll SK Hynix noch im Laufe des Jahres eine 1-TB-Client-SSDs vorstellen.