Snapdragon 855: Prime-Cluster mit bis zu 2,85 GHz

Das Snapdragon-855-SoC von Qualcomm ist mit drei verschiedenen Clustern ausgestattet, welche mit unterschiedlichen Taktgeschwindigkeiten arbeiten.

Das Efficiency-Cluster bietet vier ARM-Cortex-A55-Kerne mit einer maximalen Taktrate von jeweils 1,8 GHz. Das Performance-Cluster arbeitet mit drei ARM-Coretex-A76-Kerne, welche mit bis zu 2,42 GHz takten können. Das schnellsten Prime-Cluster besteht nur einem einzigen ARM-Coretex-A76-Kern, welcher mit 2,85 GHz arbeiten kann. Laut den Angaben von Qualcomm soll die Single-Thread-Leistung des neuen Snapdragon-855-SoCs um bis zu 45 Prozent höher ausfallen als bei dem Vorgänger in Form des Snapdragon-845-SoCs.

Zu den Neuerungen des Snapdragon-855-SoCs gehören zudem die Unterstützung von LPDDR4X-RAM mit bis zu 2.133 MHz und der Level-3-Cache wird von drei auf fünf Megabyte erhöht. Über die verbaute Adreno-640-GPU gibt Qualcomm nur wenig Details bekannt. Die Grafikkarte soll über 50 Prozent mehr ALUs als die Andreno-630-GPU des Vorgängers verfügen und eine 20 Prozent schnellere Renderleistung bieten.

Zu den weiteren Features zählen die 5G-Kompatibilität durch das Modem X24 mit einer Übertragungsgeschwindigkeit von 2 Gbit/s. WLAN mit 802.11ay und 802.11ad mit gleichzeitiger Nutzung für Geschwindigkeiten von bis zu 10 GBit/s. Ebenfalls kann das Soc mit der Quick-Charge-4+-Technologie aufwarten und dem 3D Sonic Sensor für die Installation eines Fingerabdruckscanners unter einem Display.

Die ersten Smartphones mit dem Snapdragon-855-SoC werden für Anfang 2019 erwartet.