Wie TSMC in den aktuellen Quartalsberichten zusammenfasst, arbeitet das Unternehmen zusammen mit verschiedenen Kunden bereits an der Realisierung von Halbleiterprozessen im Bereich von drei Nanometern.
Die Technologie befindet sich allerdings noch in einem sehr frühen Entwicklungsstadium, weshalb keine genaueren Angaben zu den Eingenschaften des Prozesses und den möglichen Vorteilen im Vergleich zu der 7-nm- oder 5-nm-Fertigung genannt werden. TSMC habe aber bereits Transistorstrukturoptionen für die 3-nm-Fertigung evaluiert und ist zuversichtlich, dass die Fertigung den Anforderungen seiner Partner und Kunden erfüllen wird.
Die 3-nm-Fertigung wird höchstwahrscheinlich bis zu 14 EUV-Schichten (Extrem Ultraviolett) besitzen und damit die Dichte bei der Lithografie erhöhen. Der Konkurrent Samsung setzt bei seiner 3-nm-Fertigung auf die sogenannten Gate-All-Around-MBCFET-Transistoren für die 3GAAE-Technologie. Welche der beiden Techniken sich in den nächsten Jahren für die 3-nm-Fertigung durchsetzen wird, kann noch nicht prognostiziert werden.
