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Kioxia entwickelt Twin BiCS Flash für mehr als vier Bits pro Zelle

Mittwoch, 18. Dez. 2019 14:00 - [ar] - Quelle: businesswire.com

Kioxia hat die Entwicklung einer neuen Speicherzellenstruktur mit dem Namen "Twin BiCS Flash" vorgestellt.

Kioxia entwickelt Twin BiCS Flash für mehr als vier Bits pro Zelle

Der Speicherspezialist Kioxia, welche ehemals als Toshiba Memory agierte, wird in den kommenden Jahren aktiv an der Entwicklung von Speicherchips mit der "Twin BiCS Flash"-Technologie arbeiten.

Nach Angaben von Kioxia können Twin BiCS Flash"-Speicherchips mit halbkreisförmigen Floating-Gate-(FG)-Zellen über ein größeres Programm-/Löschfenster bei einer viel kleineren Zellgröße im Vergleich zu herkömmlichen kreisförmigen Charge Trap (CT) Zellen aufwarten. Dieser Vorteil soll einen Vorteil bei der Speicherdichte bieten und sogar mehr als vier Bits pro Zelle (QLC) in Zukunft ermöglichen.

Angekündigt wurde die Technologie auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco. Kioxias Ziel ist es künftig die "Twin BiCS Flash"-Entwicklung voranzutreiben und praktische Anwendungsgebiete im Unternehmensbereich für die Technologie zu finden.
Wann die "Twin BiCS FLASH" zur Marktreife kommt, kann noch nicht beantwortet werden.

Kioxia entwickelt Twin BiCS Flash für mehr als vier Bits pro Zelle

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