Samsung plant langfristig mit bis zu 1.000 Schichten V-NAND

Mit den kommenden PCI-Express-4.0-SSDs plant Samsung die Einführung von ersten Speicherchips mit 176 Schichten V-NAND.

Künftig sollen die neuen Speicher dann auch mit dem PCI-Express-5.0-Standard arbeiten. Die als 7. Generation der V-NAND angekündigten Chips werden nach eigenen Angaben die bisher kleinsten Speicherzellengröße der Branche vorweisen und mit einem besonders hohen Input-Output von bis zu 2 Gigabit pro Sekunde aufwarten können. Die SSDs dürften dementsprechend besonders gut für große Workloads und die 3D-Modellierung sein.

Geplant sind darüber hinaus bereits Speicher mit bis zu 200 Schichten V-NAND, welche dann als nächste Generation vorgestellt werden. Als langfristiges Ziel nenn Samsung die Produktion von Speicher mit bis zu 1.000 Schichten V-NAND, allerdings ohne einen konkreten Zeitraum für die Entwicklung zu nennen.