Samsung: Verzögerung der 3-nm-Fertigung erwartet

Eigentlich wollte die Samsung die ersten Chips auf Basis der 3-nm-Fertigung mit GAAFETs bereits 2019 vom Band laufen lassen. Bedingt durch immer wieder auftretende Schwierigkeiten wird sich die Fertigung mit der neuen Technologie erneut verschieben.

Wie einem Bericht von SemiAnalysis zu entnehmen ist, plant Samsung nun mit den ersten Chips auf Basis der "Gate-All-Around"-Feldeffektransistoren im 3-nm-Design nicht vor 2023 oder gar 2024.

Insgesamt schraubt Samsung auch die Erwartung bei der neuen Technologie etwas nach unten. Während bislang von Steigerungen der Performance von bis zu 35 Prozent im Vergleich der aktuellen 7-nm-FinFETs in Aussicht gestellt wurde, wird nun nur noch eine Verbesserung von 10 Prozent ausgegangen. Dies dürfte aber mit einer 20 Prozent höheren Effizienz und 25 Prozent weniger Fläche einhergehen.