SK Hynix: Neue DDR5-RAM mit bis zu 96 GB pro Modul

Wie der südkoreanische Hersteller SK Hynix bekannt gegeben hat, kann das Unternehmen bereits erste Muster des DDR5-Standards mit 24 Gbit pro Speicherchip anfertigen.

Die maximale Speicherkapazität des DDR5-Standards kann künftig weiter vergrößert werden. Mit der neuesten Fertigung im 1α-nm-Verfahren, welche im Bereich von rund 10 Nanometern liegen soll, kann SK Hynix mit einer Optimierung der Fertigung und dem Einsatz von EUV die Speicherkapazität pro Chip weiter erhöhen. Die Effizienz der neuen DDR5-Chips mit bis zu 24 Gbit sollen um bis zu 25 Prozent steigen, während die Geschwindigkeit um bis zu 33 Prozent erhöht werden kann.

In Vollbestückung kann ein DDR5-RAM-Modul dann bis zu 96 Gigabyte Arbeitsspeicher zur Verfügung stellen. Der Konkurrent Samsung hat allerdings bereits DDR5-Speicher mit bis zu 512 Gigabyte pro Modul in Aussicht gestellt, dafür müssten die Speicherchips allerdings gestapelt werden, worunter die Geschwindigkeit der Module wohl etwas leiden werden.

Für Server könnte der neue Speicher ebenso ein Durchbruch wie für den Consumer-Markt bedeuten. Dankt der Anbindung von bis zu zwei Modulen pro Speicherinterface-Kanal können bei einem Acht-Kanal-System wie den EPYC-Systemen der Genoa-Generation bis zu 2,3 Terabyte Arbeitsspeicher an ein System angebunden werden.

Konkrete Angaben, welche Transferraten die neuen DDR5-Module mit 24-Gbit-Chips erreichen werden, hat SK Hynix noch nicht verraten. Die Speicher werden wohl offiziell 4.800 MHz und im Endkundenbereich bis zu 6.000 MHz als Overclocking-Module unterstützen.