Samsung startet erste Fertigung im 3-nm-Design mit GAA-Transistoren

Nach eigenen Angaben wird Samsung die ersten Chips in der 3-nm-Fertigung mit GAA-Transistoren im nächsten Jahr veröffentlichen können.

Die erste, initiale Produktion der 3-nm-Fertigung mit GAA-Transistoren, konnte aber bereits anlaufen. Die GAA-Technologie steht für Gate-All-Around-Transistorarchitektur, welche sich leistungstechnisch von der bisherigen FinFET-Technologie absetzen soll. Samsung verspricht nicht nur, dass die Chips durch die neue Fertigung einen geringeren Stromverbrauch benötigen werden, sondern auch, dass sich die Leistung erhöhen wird. Darüber hinaus nehmen die kommenden Chips in der 3-nm-Fertigung rund 16 Prozent weniger Chipfläche im Vergleich zu den Chips in der 5-nm-Fertigung ein, was Ressourcen schonen kann.

Die von Samsung entwickelte Technologie soll mit sogenannten Nanosheets arbeiten, welche eine optimierte Kanalbreite bieten und dadurch weiter optimiert und die Chips direkt an die Kundenanforderungen angepasst werden können.

Die Leistung der neuen 3-nm-Chips mit dem GAAFET-Design sollen einen rund 45 Prozent niedrigen Stromverbrauch bei 23 Prozent mehr Leistung sowie einer rund 16 Prozent geringere Chipfläche als die bislang verwendeten 5-nm-Chips des FinFET-Designs besitzen. In der zweiten Generation des 3-nm-Prozesses soll dann der Stromverbrauch um bis zu 50 Prozent sinken und die Leistung um bis zu 30 Prozent verbessert werden können.