Das geplante Projekt umfasst ein Investitionsvolumen von 7,5 Milliarden Euro, wovon 2,9 Milliarden Euro von dem französischen Staat subventioniert werden.
Die Fertigungskapazitäten der neuen Halbleiterfabrik soll bei rund 620.000 Wafer pro Jahr liegen und vorrangig mit Halbleiterstrukturen von 300 Millimetern arbeiten. Die eigentliche Strukturbreite der Chips dürfte dann bei 20 bis 65 Nanometern liegen, dabei sollen aber langfristig auch kleinere Strukturgrößen von bis zu 10 Nanometern für die Chips angepeilt werden. Bei der Fertigungstechnologie wird die "Fully Depleted Silicon-on-Insulator"-Technologie (FD-SOI) verwendet, was die Produktion von besonders energiesparenden Schaltkreisen ermöglicht.
Nach den Angaben des französischen Wirtschaftsministeriums wird die geplante Anlage das fortschrittlichste und größte Halbleiterwerk Europas, welches auf die FD-SOI-Technologie setzt.
Mit den geplanten Halbleiterchips könnte eine Vielzahl von Firmen bedient werden. Der Fokus liegt dabei auf den Branchen für Kft, Telekommunikation mit Schwerpunkt der 5G- und 6G-Technik sowie das Internet der Dinge.
Der Bau des Halbleiterwerks soll rund 1.000 Arbeitsplätze schaffen und zudem einige Ausbildungsplätze in der Halbleiterindustrie. Der französische Staat räumt sich durch die Subventionierung zudem jährlich bis zu fünf Prozent der Produktionskapazitäten für die eigenen "Souveränitätsbedürfnissen, der nationalen Sicherheit" ein, welche vorrangig bearbeitet werden müssen.
Der Bau des neuen Halbleiterwerks in Frankreich ist Teil des geplanten europäischen Chip-Gesetzes, welches dazu beitragen soll, mögliche Versorgungsengpässe durch den Bau von neuen Halbleiterwerken in Zukunft zu minimieren.
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