SK Hynix startet Produktion der ersten 238-Layer-4D-NAND-Speicherchips

Die neuen Speicher von SK Hynix sollen eine rund 34 Prozent höhere Fertigungseffizienz im Vergleich zu den Vorgängermodellen mit 176 Layern bieten.

Die Datenübertragungsgeschwindigkeit bei den neuen NAND-Flashspeichern soll sich um mehr als 50 Prozent erhöhen, was einer Datenübertragung von bis zu 2,4 Gb pro Sekunde entsprechen würde. Die neuen NAND-Flashspeicher können nach Angaben von SK Hynix sowohl in klassischer PC-Hardware als auch in Smartphones und anderen Geräten mit NAND-Flashspeicher verwendet werden. Die Performance beim Lesen und Schreiben von Dateien dürfte bei den neuen NAND-Flashspeichern um bis zu 21 Prozent effizienter als bei den Vorgängerversionen vonstatten gehen.

Im Fokus von SK Hynix stehen nun vorerst die Kompatibilitätstests mit Smartphones an, bevor die Speicher auch mit anderen Technologien und Produkten getestet werden. Neben PCI-Express-5.0-SSDs dürften die neuen 238-Layer-4D-NAND-Speicherchips auch mit höheren Kapazitäten in Server-SSDs zum Einsatz kommen.

Bei dem 4D-NAND von SK Hynix handelt es sich strenggenommen allerdings weiterhin um 3D-NAND-Flashspeicher, welche in der Lage sind, bis zu drei Bits pro Zelle zu speichern (TLC-Technologie) erst später sollen auch Chips mit der QLC-Technologie folgen. SK Hynix stapelt bei den Chips auch die I/O-Logik, weshalb der Markennamen 4D-NAND verwendet wird. Andere Hersteller setzen die Technologie allerdings ebenfalls bereits ein, kennzeichnen den NAND-Speicher aber nicht als 4D-Variante.