IBM und Micron: 3D-RAM soll 2012 Geschwindigkeitsrekorde brechen 01.12.2011 17:03 - ID 22759
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IBM und Micron: 3D-RAM soll 2012 Geschwindigkeitsrekorde brechen
Ein für 2012 angekündigter DRAM auf Basis von 3D-Transitoren soll zehn Mal so schnell arbeiten wie bisheriger DRAM.
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