Globalfoundries: Mit 12-nm-SD-SOI statt 10-nm-FinFET

Wie der taiwanische Branchendienst DigiTimes erfahren haben möchte, wird der Auftragsfertiger Globalfoundries verstärkt auf die 12-nm-FD-SOI-Technologie bauen und nicht wie TSMC oder Intel die 10-nm-FinFET-Technologie nutzen.

FD-SOI steht dabei für "Fully-Depleted Silicon-On-Insulator" bei planar hergestellte Architekturen. Die FD-SOI-Technologie wird bereits bei den aktuellen 22-nm-Fertigungen des Unternehmens verwendet.

Laut CEO Sanjay Jha wird die 12-nm-SD-SOI-Technologie Chips hervorbringen, welche die Performance von 10-nm-FinFET-Modellen besitzen und dabei eine bessere Energieeffizienz bieten. Darüber hinaus könnten die ICs deutlich günstiger produziert werden als bei der 16-nm-FinFET-Technologie, wenn die Yield-Rate gut ausfällt.

Insgesamt sollen die Chips bis zu 50 Prozent sparsamer und 15 Prozent leistungsfähiger ausfallen als bei den heutigen FinFET-Technologien.

Auch das Werk in Dresden (Fab 1) soll mit der neuen Fertigungstechnologie ausgerüstet werden. Die ersten Tape-Outs für Produkte sind allerdings erst für das erste Halbjahr 2019 zu erwarten.

(Bild: Das Logo von Globalfoundries)