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Halbleiterherstellung: Möglichkeit für kleinere Strukturen als 5 nm vorgestellt

Montag, 14. Aug. 2017 14:13 - [ar] - Quelle: stanford.edu

Die Halbleiterherstellung steht jedes Jahr vor dem Problem, die Fertigungsstrukturen verkleinern zu müssen. Nun sind erste Lösungsansätze für Fertigungsstrukturen unterhalb von fünf Nanometern präsentiert worden.

Die aktuellen x86-Prozessoren und Grafikkarten werden mit Silizium-Chips die eine Strukturbreite von 14 Nanometern vorweisen, produziert. Die Technologie für die DRAM- und ARM-Produktion ist schon etwas weiter und kann schon Chips mit einer Strukturbreite von nur zehn Nanometern präsentieren. Bis zu einer Strukturbreite von sechs Nanometern soll dieses Spiel in den nächsten Jahren noch weitergetrieben werden. Durch die kleineren Strukturbreiten können die Chips immer effizierter und leistungsfähiger gestaltet werden. Ab einer Strukturbreite von fünf Nanometern soll das klassische Silizium allerdings an seine physikalischen Grenzen stoßen, eine noch weitere Verkleinerung schien bislang unmöglich.

Mit den Halbleitern Hafnium-Diselenide und Zirkonium-Diselenide soll künftig sogar die 5-nm-Grenze unterschritten werden. Die beiden Materialien sollen extrem dünn verarbeitet werden können und teilweise 10-mal kleinere Strukturen als das bislang verwendete Silizium ermöglichen. Möglich wäre, dass Hafnium-Diselenid und Zirkonium-Diselenid als Teil eines Silizium-Chips verwendet werden.

Die Herausforderung besteht aktuell darin die Transistoren und Schaltungen zwischen den Materialien untereinander kombinierbar zu machen. Darüber hinaus sollen Chips aus Hafnium-Diselenid und Zirkonium-Diselenid noch extrem unzuverlässig sein, woran gearbeitet werden müsste.

Die Forscher der Stanford Universität sind jedoch vorsichtig optimistisch diese Probleme in den kommenden Jahren in den Griff zu bekommen und dann eine Alternative für Silizium für Halbleiterchip präsentieren zu können.

Halbleiterherstellung: Möglichkeit für kleinere Strukturen als 5 nm vorgestellt
(Bild: Vergrößerter Querschnitt eines experimentellen Chips aus Hafniumdiselenid und Zirkoniumdiselenid von Michal Mleczko)

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