Mit der TSV-Technologie erhofft Toshiba die Daten-In- und Output-Geschwindigkeit von 3D-Flash-Speicher weiter erhöhen zu können.
Toshiba hat angekündigt an neuen Speicherlösungen mit der Silicium-Durchkontaktierungs-Technologie (Through Silicon Via, oder auch TSV) zu arbeiten. Die Technologie könnte direkt bei TLC-Chips, die drei Bits pro Zelle speichern können, zum Einsatz kommen. Die ersten Prototypen der Speicherchips mit der TSV-Technologie sollen bereits im Juni an Industriepartner verschickt worden sein. Die Auslieferung von entsprechenden Produktmustern ist ebenfalls noch in der zweiten Jahreshälfte 2017 geplant.
Eine erste öffentliche Präsentation von 3D-Flash-Speicher mit der TSV-Technologie soll auf der Memory Summit 2017 in Santa Clara, Kalifornien, USA, vom 7.-10. August zu sehen sein.
Durch die Verwendung der neuen Technologie soll nicht nur die Daten-In- und Output-Geschwindigkeit von 3D-NAND gesteigert, sondern auch der Energieverbrauch der Chips reduziert werden können. Zum Einsatz kommen dürfte der neue Speicher mit der TSV-Technologie voranging in besonders leistungsfähigen Enterprise-SSDs von Toshiba.
(Bild: Flashspeicher-Chips mit der TSV-Technologie)
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