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Toshiba arbeitet an 3D-Flash-Speicher mit TSV-Technologie

Freitag, 14. Jul. 2017 14:23 - [ar] - Quelle: toshiba-memory.co.jp

Mit der TSV-Technologie erhofft Toshiba die Daten-In- und Output-Geschwindigkeit von 3D-Flash-Speicher weiter erhöhen zu können.

Toshiba hat angekündigt an neuen Speicherlösungen mit der Silicium-Durchkontaktierungs-Technologie (Through Silicon Via, oder auch TSV) zu arbeiten. Die Technologie könnte direkt bei TLC-Chips, die drei Bits pro Zelle speichern können, zum Einsatz kommen. Die ersten Prototypen der Speicherchips mit der TSV-Technologie sollen bereits im Juni an Industriepartner verschickt worden sein. Die Auslieferung von entsprechenden Produktmustern ist ebenfalls noch in der zweiten Jahreshälfte 2017 geplant.

Eine erste öffentliche Präsentation von 3D-Flash-Speicher mit der TSV-Technologie soll auf der Memory Summit 2017 in Santa Clara, Kalifornien, USA, vom 7.-10. August zu sehen sein.

Durch die Verwendung der neuen Technologie soll nicht nur die Daten-In- und Output-Geschwindigkeit von 3D-NAND gesteigert, sondern auch der Energieverbrauch der Chips reduziert werden können. Zum Einsatz kommen dürfte der neue Speicher mit der TSV-Technologie voranging in besonders leistungsfähigen Enterprise-SSDs von Toshiba.

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(Bild: Flashspeicher-Chips mit der TSV-Technologie)

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