Zusammenarbeit von Infineon und Nanya 14.11.2002 20:27 - ID 2816
Der deutsche Speicherhersteller Infineon und der taiwanesische Speicherherstelller Nanya haben nun ihre Zusammenarbeit bei der Weiterentwicklung der Standard-Speichertechnologie DRAM (Dynamic Random Access Memory) angekündigt. Die beiden Firmen wollen in München (dem Sitz von Infineon) und Dresden die Entwicklung für DRAM in 90nm bzw. 70nm Fertigunstechnologie betreiben.
Zusammenarbeit von Infineon und Nanya