Samsung: 64-Gigabyte-e-MMC-NAND-Memory angekündigt

Im Rahmen des achten Samsung Mobile Solutions Forums im Westin Taipei Hotel in Taiwan hat Samsung die Entwicklung eines hochperformanten  64-Gigabyte-Embedded-Memory mit 64-Gb-NAND-Flashmodulen angekündigt. Samsung zufolge soll der Speicher nicht weniger als "die industrieweit höchste Performance bei branchenweit geringster Bauhöhe" bieten. Der 64-GB-e-MMC soll sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 80 MB pro Sekunde (MB/s) und sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von 40MB/s leisten.

"Durch den Produktionsstart der 64Gb-basierten 64GB e-MMC Lösung in diesem Jahr, treiben wir den Einsatz von 'Premium' Embedded Memory Cards mit hoher Geschwindigkeit voran," sagt Myung Ho Kim, Vice President, Memory Marketing, Device Solutions, Samsung Electronics. "Als Marktführer im Bereich Memory-Technologie werden wir auch künftig High-Performance e-MMC Produkte nach einem ehrgeizigen Zeitplan auf den Markt bringen, um den Anforderungen führender Anbieter mobiler Geräte an Mobile Memory-Lösungen gerecht zu werden."

Samsung hat sein ersten 64-GB-e-MMC mit 30-nm-Class-32Gb-NAND-Flash-Komponenten im Januar 2010 auf den Markt gebracht. Im Spätjahr 2010 hat Samsung mit der Herstellung von 64-GB-eMMCs mit 20nm-Class-32Gb-NAND-Flash begonnen. Der neue eMMC nutzt die neueste 20nm-Class 64-Gb NAND-Flash-Technologie und soll damit eine Produktivitätssteigerung von 60 Prozent erreichen.