Toshiba stellt QLC-NAND-Flash mit 4 Bits pro Zelle vor

Mit der neuen QLC-Technologie (Quadruple Level Cells) soll die Speicherkapazität für NAND-Flash-Laufwerke weiter steigen. Im Vergleich zu den aktuellen TLC-Speicherchips, die drei Bits pro Zelle speichern, können die QLC-NAND-Speicherchips bis zu vier Bits in nur einer Zelle speichern. Der Speicherspezialist Toshiba erhofft sich durch die neue Technologie höhere Kapazitäten von 512 bis zu 768 GBit zu erreichen was in Verbindung mit 64 Schichten des 3D-NAND-Verfahrens in Modulen mit bis zu 1,5 Terabyte Speicherplatz resultieren könnte.

Eine erste Präsentation einer SSD und einem Controller der mit der QLC-Technologie umgehen kann, ist für die Flash-Memory-Summit in Santa Clara, USA für den 7. August 2017 geplant. Wann die ersten Laufwerke mit QLC-NAND-Flash auf den Markt kommen werden, kann noch nicht prognostiziert werden.

(Bild: OCZ-SSD mit NAND-Flash-Chips von Toshiba)