Elpida Momery Inc., der drittgrößte DRAM-Chip-Hersteller gab heute bekannt, dass er die Entwicklung des ersten 4-Gigabit-DDR3-SDRAM in dem 25-Nanometer-Verfahren abgeschlossen habe. Bereits im Mai schloss Elpida die Entwicklung der ersten 2-Gigabit-DDR3-SDRAM Bausteine ab.
Durch die neue Fertigungstechnik können die schnellen 4-Gigabit-DDR3-SDRAM-Chips noch energieeffizienter bei doppelter Geschwindigkeit arbeiten. So soll die Produktivität im Gegensatz zu den 4-Gigabit-DDR3-SDRAM im 30-nm-Verfahren um bis zu 45 Prozent gestiegen sein. Die Betriebsspannung kann dabei um etwa 30 bis 50 Prozent gesenkt und dennoch branchenweit die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit erreicht werden.
Die neuen DDR3-SDRAM-Module werden sowohl in Servern wie auch in Desktop-PCs zu erwarten sein. Auch in den Energiesparern wie Tablet-PCs oder Intels angekündigten Ultrabooks könnten schon die neuen Module zu finden sein.
Die ersten Samples des neuen Speichers sowie die Massenproduktion werden noch Ende des Jahres erwartet.
