Innovativer Durchbruch: Neuer 3D-Flash-Speicher von KIOXIA und SanDisk

Die neue 3D-Flash-Speichertechnologie bietet eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s und setzt dabei auf die CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array). Diese nutzt laut KIOXIA den neuesten Schnittstellenstandard, Toggle DDR6.0 für NAND-Flash-Speicher, sowie das SCA-Protokoll (Separate Command Address) und die PI-LTT-Technologie (Power Isolated Low-Tapped Termination). Diese Technologien können dabei maßgeblich zur Reduzierung des Energieverbrauchs beitragen.

Die Unternehmen erwarten, dass der neue 3D-Flash-Speicher die NAND-Schnittstellengeschwindigkeit im Vergleich zu ihrem derzeit in Massenproduktion befindlichen 3D-Flash-Speicher der 8. Generation um 33 Prozent steigern wird. Gleichzeitig verbessert die Technologie die Energieeffizienz bei der Datenübertragung, indem sie den Stromverbrauch um 10 Prozent bei der Eingabe und um 34 Prozent bei der Ausgabe reduziert.

Eine weitere bedeutende Verbesserung ist die Erhöhung der Anzahl der Layer mit Speicherzellen auf 332, was die Bitdichte um insgesamt 59 Prozent erhöht. Dies ermöglicht eine höhere Kapazität und verbesserte Leistung. Diese Fortschritte sind besonders relevant für Rechenzentren, in denen das Datenvolumen durch KI-gestützte Anwendungen massiv zunimmt.

Zusätzliche Anforderungen an die Speicherinfrastruktur ergeben sich durch komplexe Prozesse wie Inferencing am Edge und den Einsatz von Transfer-Learning-Techniken.

KIOXIA und SanDisk haben auch ihre Pläne für den kommenden 3D-Flash-Speicher der 9. Generation vorgestellt. Durch die Verwendung der CBA-Technologie können die Unternehmen die neue CMOS-Technologie mit der bestehenden Speicherzellentechnologie kombinieren. Dies soll zu noch leistungsstärkerenn und energieeffizienteren Produkten führen, die maßgeschneiderte Lösungen für die Anforderungen der Kunden bieten.