Samsung startet Produktion von HBM2-Speicher für Server

Die zweite Generation des HBM-Speichers wurde offizielle von der JEDEC verabschiedet. Samsung hat nun begonnen die ersten 4-GB-DRAM-Chips für Server zu produzieren. Der DRAM-Speicher wird im 20-Nanometer-Prozess gefertigt. Die 4-GB-Module stapeln vier 8-Gbit-Chips auf einem Die. Dies erlaubt Samsung zwei Chips vertikal zu Stapeln ohne Leistung einbüßen zu müssen. Laut Samsung bietet diese Technik einen höheren Leistungszuwachs als herkömmliche Methoden wo die Pakete per Leiterbahn verbunden werden.

Die ersten Chips mit der neuen Technik bieten eine Bandbreite von 256 Gbit/s, was der doppelten Geschwindigkeit der ersten Generation von HBM-Speicher entspricht. Die neuen HBM2-Speicher von Samsung bieten zusätzlich eine integrierte ECC-Fehlerkorrektur, was sie besonders für den professionellen Einsatz auszeichnen soll.

(Bild: HBM2-Speicher von Samsung)