Fast jedes Mainboard bietet im Bios Einstellungsmöglichkeiten für den Hauptspeicher. Seit langem lassen sich dort die Werte für "CAS Latency", "RAS Precharge Time" und "RAS to CAS Delay" einstellen. Nun, mit der Einführung neuer Chipsätze von Intel und VIA, kommen noch die Wahl des Taktfrequenz des Speichers (100 MHz oder 133 MHz) und bei den neuen VIA Chipsätzen (KX-133 und KT-133) noch das "SDRAM Interleave" hinzu. Wir möchten hier nicht darauf eingehen, was welche Einstellung zu bedeuten hat und was sich dahinter verbirgt, sondern darauf, wie sich die Einstellungen auf den Speicherdurchsatz auswirken, also weg von der Theorie hin zur Praxis.

Für jeden Eintrag einzeln lässt sich im Bios ein Wert von 2 oder 3 einstellen, wobei eine kleinere Zahl schnelleren Zugriff bedeutet. Auf manchen Speichermodulen finden Sie die Zahlen "222" oder "333", damit sind eben die drei Werte für "CAS Latency", "RAS Precharge Time" und "RAS to CAS Delay" gemeint. Damit das noch im übersichtlichen Rahmen bleibt, haben wir uns auf darauf beschränkt, alle drei Werte auf 2 oder auf 3 zu setzen - wie es auch auf den Modulen angegeben ist. Außerdem haben wir das Interleaving ein- und ausgeschaltet und auch einen Test mit Virtual Channel Memory gemacht.

Als Testsystem kam ein ASUS A7V mit einem Duron 600 zum Einsatz. Die von uns verwendeten Speichermodule sind von Infineon, da mit No-Name-RAM nicht unbedingt - wie bereits im ersten Teil unseres Artikels beschreiben - die schnellen Einstellungen funktionieren. Das VCM-Modul ist von NEC. Als Testbenchmark, wir wollen ja wissen, wie sich die Einstellungen auswirken, haben wir den Memory Benchmark von SiSoft Sandra verwendet.