Intel stellt Quadratmikrometer große SRAM Zelle vor

Pressemitteilung Intel baut weltweit kleinste SRAM Zelle mit einer Fläche von nur einem Quadratmikrometer Erste Halbleiterprodukte unter Verwendung von Intels 90 Nanometer Prozesstechnologie fertiggestellt Hannover / Santa Clara, den 12. März 2002 - Forscher der Intel Corporation haben die weltweit kleinste SRAM (Static Random Access Memory) Speicherzelle hergestellt, die lediglich 1 Quadrat-Mikrometer (µm2) groß ist. Diese SRAM-Zelle wurde als Teil eines voll funktionsfähigen SRAM Speicherchips hergestellt, unter Verwendung von Intels 90 Nanometer (nm) Prozesstechnologie der nächsten Generation in der Halbleitertechnik. Dieser Meilenstein zeigt, dass Intel die 90 Nanometer Technologie planmäßig im Jahr 2003 in der Produktion einsetzen kann. "Mit der 1 µm2 SRAM Zelle haben wir eine neue Bestmarke in der Siliziumtechnologie gesetzt", sagte Sunlin Chou, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group. "Dieses Ergebnis bestätigt unsere Führungsposition bei der Halbleiterherstellung für Mikroprozessoren und weitere Produkte." Intel setzt mit der 90 nm Prozesstechnologie im nächsten Jahr die 12-jährige Serie bei der Einführung einer neuen Prozessgeneration in jedem zweiten Jahr fort. Den neuen 90 nm Prozess wird Intel ausschließlich auf 300 mm Wafern einsetzen und viele seiner Produkte wie Prozessoren, Chipsätze oder Kommunikationsprodukte damit herstellen. Details zum kleinsten SRAM Chip Intel Forscher haben bei diesen Chips mit 52-Megabit die höchste Dichte bei SRAM Chips erreicht, die jemals gemeldet wurde. Die Chips enthalten 330 Millionen Transistoren auf einer Fläche von lediglich 109 mm2 (deutlich kleiner als ein Ein-Cent-Stück mit ca. 177 mm2). Die 52-Megabit SRAM Speicherchips wurden in Intels 300 Millimeter Entwicklungsfabrik D1C in Hillsboro (Oregon, USA) unter Verwendung einer Kombination aus fortschrittlichen 193 nm und 248 nm Lithographie-Tools hergestellt. Der Bau von SRAM Chips wird in der Industrie weithin für den Test von Logik-Herstellungsprozessen zukünftiger Generation eingesetzt. Eine möglichst geringe Speicherzellengröße ist für Intel sehr wichtig, da sie die kostengünstige Leistungssteigerung von Mikroprozessoren durch größere Cache-Speicher und komplexere Schaltungen ermöglicht. Die funktionsfähigen SRAM Chips haben außerdem die erfolgreiche Implementation aller 90 nm Prozessmerkmale gezeigt, die für Mikroprozessoren benötigt werden, einschließlich der Hochleistungstransistoren und der Interconnects aus Kupfer. Weitere Informationen über Intels Siliziumforschung finden Sie Internet unter www.intel.com/research/silicon.