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Samsung: DDR4-Speicher mit bis zu 128 Gigabyte mit 20-nm-Chips

Donnerstag, 23. Okt. 2014 16:01 - [ar] - Quelle: presseportal.de

Der Speicherspezialist Samsung plant neue DDR4-RAM-Module mit bis zu 128 Gigabyte Speicherkapazität.

Die Entwicklung von Samsung an den DDR4-Module mit bis zu 128 Gigabyte Speicherplatz ist bereits abgeschlossen und geht nun in Serienfertigung. Die normalen Module selbst setzen Speicherbausteine mit einer maximalen Kapazität von 32 Gigabyte pro RAM-Riegel, welche im 20-Nanometer-Verfahren produziert werden. In größeren Bauformen sollen sogar Module mit bis zu 128 Gigabyte möglich werden. Erreicht wird dies mit DRAM-Chips mit acht Gigabit pro Die.

Die konkrete Strukturbreite der DRAM-Chips wurde, wie von Samsung üblich, nicht bekannt gegeben. Der Hersteller spricht zwar von 20 Nanometern, intern zählen aber alle Strukturbreiten von 20 bis 29 Nanometern zu der 20-nm-Fertigung.

Vorerst werden die neuen DDR4-Module wohl nur in sehr speziellen Server-Systemen zum Einsatz kommen, da es sich bei den ersten Modellen um RDIMM-Modulen (Registered Dual In-Line Memory Module) handelt. Die DDR4-Speicher arbeiten mit bis zu 2.400 MHz bei einer Betriebsspannung von 1,2 Volt. Die Latenzzeiten für die neuen DDR4-Module hat Samsung noch nicht bekanntgegeben.

Samsung: DDR4-Speicher mit bis zu 128 Gigabyte mit 20-nm-Chips
(Bild: DDR4-RAM mir 8-Gigabit-DRAM-Chips von Samsung)

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