Samsung mit XDR-DRAM für Playstation 3

Pressemitteilung

Erster 90-Nanometer 512-MBit-DRAM für Multimedia-Anwendungen kommt von Samsung und wird in PLAYSTATION 3 eingesetzt

Seoul, Korea, 19. Mai 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Speichertechnologien, hat die ersten Muster eines 90-Nanometer XDR DRAMs (eXtreme Data Rate) mit 512 MBit produziert. Das Unternehmen verfügt damit über den bisher schnellsten Speicherbaustein für Multimedia-Anwendungen.

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM kann Daten mit bis zu 9,6 GByte/s übertragen und ist damit 12 Mal schneller als DDR400-Speicher sowie 6 Mal schneller als führende RDRAM (PC 800) Speicherbausteine. Mit Hilfe modernster Prozesstechnologien und einer Strukturbreite von 90nm erreicht das neue XDR-DRAM eine maximale Geschwindigkeit von 4,8 GBit/s bei einer Versorgungsspannung von 1,8 V.

Optimiert ist der neue Speicherbaustein auf den Einsatz in hochleistungsfähigen Breitband-Anwendungen, die modernste digitale Bildverarbeitungs- oder 3D-Grafikfunktionen benötigen. Dazu zählen die neuesten Spielekonsolen, digitale Fernsehgeräte sowie  Server und Workstations.

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM kommt im interaktiven Home-Entertainment-System der nächsten Generation, der PLAYSTATION 3 von Sony Computer Entertainment, zum Einsatz.

Yeongho Kang, Vice President, Memory Marketing, Samsung Semiconductor, sagt: "Wir haben eng mit Sony Computer Entertainment zusammengearbeitet, um sicherzustellen, dass das kommende Home-Entertainment-System genau das enthält, was Sony Computer Entertainment zur Markteinführung der PLAYSTATION 3 wünschte – den schnellsten Systemspeicher mit optimalem thermischem Verhalten."

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM basiert auf der XDR-Speicher-Interface-Technologie von Rambus. Es unterstützt die größte Vielfalt an Daten-Eingängen und Ausgängen. Der neue Speicherbaustein wird in x2-, x4-, x8- und x16-Versionen angeboten.

Das Marktforschungsunternehmen IDC prognostiziert für den Markt für XDR-DRAMs in den nächsten vier Jahren (2006 bis 2009) ein stetiges Wachstum auf 800 Millionen 256-MBit-äquivalenter Speicherbausteine.