Globalfoundries: Forschungsprojekt NOCRACK erfolgreich abgeschlossen

Pressemitteilung von Globalfoundries

GLOBALFOUNDRIES Dresden schließt erfolgreich Forschungsprojekt NOCRACK ab
Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) unterstützt Forschung im Rahmen der Hightech-Strategie
 
Dresden, 30. April 2010. GLOBALFOUNDRIES Dresden gab heute den erfolgreichen Abschluss seines Forschungsprojektes NOCRACK bekannt. Das Projekt befasste sich mit Untersuchungen zu Wechselwirkungen zwischen Vergrößerung der Chipfläche, Einsatz neuer, mechanisch empfindlicher Isoliermaterialien sowie bleifreier Kontaktverbindungen. Ein weiterer Aspekt waren erste Untersuchungen zur dreidimensionalen Integration von Chips unterschiedlicher Funktionalität. Diese Integration ermöglicht eine höhere Packungsdichte und kann wesentlich zur Optimierung der Zuverlässigkeit beitragen. Dem Forschungsteam gelang eine deutliche Steigerung der Leistungsfähigkeit sowie eine weitere Erhöhung der Lebensdauer der Chips.
 
Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) unterstützte dieses dreijährige Forschungsprojekt im Rahmen der Hightech Strategie mit rund 5 Millionen Euro. Die Anwendungsmöglichkeiten dieser Technologien sind breit gefächert und tragen maßgeblich zum Ausbau weiterer innovativer Branchen bei.
 
GLOBALFOUNDRIES arbeitete in diesem Forschungsvorhaben eng mit dem Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration (Fraunhofer-IZM) sowie der Fraunhofer-Einrichtung für Elektronische Nanosysteme ENAS (Fraunhofer-ENAS) zusammen. Fraunhofer-ENAS erarbeitete Simulationsmethodiken, die Vorhersagen der Wechselwirkungen zwischen dem Chip und seinem Gehäuse gestatten. Fraunhofer-IZM entwickelte als Demonstrator und wichtige Ausgangsbasis für weitere Arbeiten zur Erhöhung der Packungsdichte einen siliziumbasierten Verdrahtungsträger (Interposer) mit elektrischen Durchkontaktierungen und Flip-Chip montierten Prozessor- und Halbleiterkomponenten.
 
Die Ergebnisse von NOCRACK fließen in das Design neuer Produkte ein und tragen wesentlich zur Erhöhung der Lebensdauer sowie zur Steigerung der Leistungsfähigkeit durch höhere Taktfrequenzen und größere Effizienz bei. Die Ergebnisse werden in der Halbleiterindustrie Anwendung finden und auch Ausgangsbasis für weitere Forschungsarbeiten auf diesem Gebiet sein.