TSMC: 2013 startet Fertigung in 16 Nanometern

Bereits Ende 2013 wird das Unternehmen mit der Fertigung von 16-Nanometer-Chips mit FinFET-Transistoren beginnen. Ab der Strukturbreite von 10-Nanometern soll dann die EUV-Belichtung zum Einsatz kommen.

Nach der aktuellen Serienfertigung von 28-Nanomtern plant TSMC sowohl die Fertigung in 20-Nanomtern, wie auch Zeitgleich die Strukturbreite von 16 Nanometern. Die Massenproduktion erster Chips mit der 16-nm-Technik soll 2014 beginnen, die ersten Tests sind bereits für dieses Jahr noch angesetzt. Welche Kunden auf das 20- oder 16-Nanometer-Verfahren zurückgreifen werden wurde nicht kommuniziert.

Der nächste Schritt in der Entwicklung der Strukturverkleinerung könnte sich dann ein wenig hinziehen. Die EUV-Technik für das 10-nm-Verfahren soll erst 2018 Flächendeckend angewandt werden können. Denn die EUV-Technik (Extreme Ultra-Violet) ist bislang noch nicht Marktreif und mit den klassischen FinFET-Transistoren lässt sich eine solch kleine Strukturbreite nicht realisieren.

Intel hatte ebenfalls bekannt gegeben, das für die 22-nm-Technik und das darauf folgende 14-nm-Verfahren noch nicht auf das EUV-Verfahren zurückgegriffen werden kann.