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Zusammenarbeit von Infineon und Nanya

Donnerstag, 14. Nov. 2002 19:27 - [al] - Quelle:

Der deutsche Speicherhersteller Infineon und der taiwanesische Speicherherstelller Nanya haben nun ihre Zusammenarbeit bei der Weiterentwicklung der Standard-Speichertechnologie DRAM (Dynamic Random Access Memory) angekündigt. Die beiden Firmen wollen in München (dem Sitz von Infineon) und Dresden die Entwicklung für DRAM in 90nm bzw. 70nm Fertigunstechnologie betreiben.

Außerdem wollen die beiden Firmen gemeinsam eine Fabrik in Taiwan aufbauen, in der dann Ende 2003 Speicherchips in 90nm Strukturbreite aus 300mm Wafern produziert werden sollen. Die beiden Speicherhersteller versprechen sich durch die neuen Technologien eine Fertigungskapazität von 50.000 Wafern pro Monat. Das Projekt, das von beiden Firmen zu gleichen Teilen getragen wird, wird in den nächsten drei Jahren vorraussichtlich 2,2 Mrd. US-Dollar verschlingen.
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