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Samsung SSD 850 Pro im Test

Samsung SSD 850 Pro mit 3D-VNAND-Technologie

In dem Bereich der Speicherlösungen mit NAND-Flash-Speicher ist Samsung sicherlich als Marktführer anzusehen. Insbesondere die Mainstream SSD 840 Evo war bis zu Einführung der Crucial MMX100 die beliebteste Einsteiger-SSD. Schnell und günstig heißt hier die Devise. Preislich wird sie derzeit aber durch das extrem günstige Crucial Modell unterboten. Insgesamt läuft der Kampf um den Kunden bei den preisgünstigen SSDs derzeit auf Hochtouren.

Mit dem Launch der neuen 850 Serie startet Samsung in die nächste SSD-Generation und führt gleichzeitig eine komplett neue Technologie ein. Mit der 3D-VNAND-Technologie will man so seine Position im SSD-Markt noch weiter stärken.

Die Samsung 850 Pro - das erste Modell aus der neuen 850 Reihe - richtet sich wieder an leistungsorientierte Anwender und den professionellen Bereich und stellt damit den Nachfolger der Samsung 840 Pro dar. Mit der Samsung 850 Evo soll später auch wieder ein Mainsteam-Modellmit 3D-VNAD-Flash-Speicher folgen, das ganz explizit auf den Consumer-Markt zugeschnitten ist.

Einer der größten Vorteile den Samsung bei der Produktion seiner SSDs genießt ist, dass alle Komponenten von Samsung selbst hergestellt werden. Dies gilt für den verbauten 3D-VNAND-Flashspeicher, den Controller und sogar den LPDDR2-SDRAM-Cache. Dazu sind in der Form nur wenige andere Unternehmen in der Lage. Unter anderem zum Beispiel Toshiba, die mit dem Zukauf von OCZ auch einen eigenen Controller im Haus haben.

Als Controller dient bei der Samsung 850 Pro der 8-Kanal-Controller mit der kurzen Bezeichnung Samsung MEX. Angetrieben wird er von einem ARM-Prozessor mit drei Cortex-R4-Kernen die mit 400 MHz zu Werke gehen. Der verbaute LPDDR2-SDRAM-Cache auf der SSD variiert je nach Speicherplatzgröße der SSD. Die beiden von uns getesteten Modelle mit 256 und 512 GB Speicherplatz besitzen jeweils einen 512 Megabyte großen Cache.

Bei der Samsung 850 Pro kommt erstmals der selbstentwickelte 3D-Vertical-NAND-Flash-Speicher zum Einsatz. Bei dieser Technik werden die Speicherzellen nicht nur nebeneinander angeordnet, sondern auch aufeinander gestapelt, sodass Samsung trotz einer Strukturbreite von 40 Nanometern mehr Kapazität auf einer Grundfläche bündeln kann, als bei der Vorgängergeneration auf Basis der 20-nm-Strukturbreite. Durch die größere Strukturbreite kann die Marge- und Yield-Rate (Ausbeute der Chips) besonders hochgehalten werden auch, wenn sich dies bei der Samsung 850 Pro nicht direkt auf den Preis auswirkt.

In einem kurzen interessanten Video erläutert Samsung wie die Technik des 3D-Vertical-NAND-Speichers funktioniert. Anders als bei den klassischen Verfahren von NAND-Flashspeicher sind die 3D-VNAND-Zellen von Samsung zylindrisch aufgebaut und werden in mehreren Lagen übereinandergestapelt, wodurch sich die Speicherdichte pro Chip steigern lässt. Der Performance kommt der 3D-VNAND-Flashspeicher ebenfalls zur Gute, da die Chips auf eine größeren Strukturbreite basieren, was zu weniger Interferenzen zwischen den einzelnen Zellen führt.

Darüber hinaus soll der 3D-VNAND-Flashspeicher noch andere positive Eigenschaft besitzen, wie etwa eine wesentlich höhere Haltbarkeit und eine geringe Leistungsaufnahme. Wie sich die beiden von uns getestet Modelle der Samsung 850 Pro mit 256 und 512 Gigabyte Speicherplatz in unserem Benchmark Parcours schlagen und in wieweit sich die Performance mit 3D-VNAND-Speicher sich entwickelt hat, zeigen wir auf den folgenden Seiten.  


Testplattform

  • Testkandidat: Samsung SSD 850 Pro 256 und 512 GB
  • Intel Core i7 4770K
  • SATA III Controller des Z97 Chipset (ASRock Z97 Extreme6)
  • OCZ Revodrive 350 (Systemplatte)

Betriebssystem & Benchmarks

  • Windows 8.1
  • HDTune Pro
  • PCMark 7 und PCMark 8
  • Passmark Advanced Disk Test
  • ATTO
  • AS SSD
  • CrystalDiskMark
  • Intel IO-Meter
Inhaltsverzeichnis:

Übersicht der Benchmarks in diesem Artikel:


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