Samsung produziert PRAM

Pressemitteilung von Samsung

Samsung beginnt mit der Produktion von PRAMs - nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation

Taipei, Taiwan, 22. September 2009 - Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von modernsten Halbleiterlösungen, hat mit der Massenproduktion von 512 Megabit (Mb) PRAMs (Phase Change Random Access Memory) begonnen. Dies gab das Unternehmen heute auf dem sechsten jährlichen Samsung Mobile Solutions Forum im Westin Taipei Hotel bekannt.
PRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die sich durch Merkmale wie hohe Performance und niedriger Leistungsverbrauch auszeichnet. Es wird erwartet, dass sich PRAMs als nichtflüchtige Speichertechnologie für Mobilgeräte nach und nach durchsetzen.

High-Density und High-Performance sind die wichtigsten Technologie-Anforderungen für Smart Phones. Allerdings können diese Eigenschaften den Leistungsverbrauch von Geräten beachtlich erhöhen. Da die wesentlich vereinfachte Logik für den Datenzugriff bei PRAMs weniger Unterstützung durch DRAMs benötigt, wird die aufgenommene Leistung sehr effizient genutzt. Beim Einsatz der PRAM-Technologie lässt sich die Batterielaufzeit eines Handys um über 20 Prozent verlängern.

"Wir glauben, dass PRAM einen beachtlichen Beitrag zur Effizienz von Handy-Entwicklungen leistet. Dies gilt speziell für Multimedia-Geräte und Smart Phones", sagte Sei-Jin Kim, Vice President, Mobile Memory Planning and Enabling Group, Memory Division, Samsung Electronics. "Deshalb erwarten wir, dass sich PRAM in Zukunft zu einem unserer zentralen Speicherprodukte entwickeln wird."

Das 512 Mb PRAM kann 64 Kiloworte (KW) in 80 Millisekunden (ms) löschen und ist damit über zehn Mal schneller als NOR-Flash-Memory. In Datensegmenten von 5 Megabyte (MB) kann PRAM Daten etwa sieben Mal schneller löschen und schreiben als NOR-Flash-Speicher.

PRAM ist besser skalierbar als andere derzeit in der Entwicklung befindlichen Speicherarchitekturen und kombiniert die Geschwindigkeit von RAM für Verarbeitungsfunktionen mit den nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Memory für Storage-Anwendungen.

Samsungs erstes PRAM wird in einer 60 Nanometer (nm) Technologie produziert. Dies ist die gleiche Prozesstechnologie, die heute für die NOR-Flash-Produktion verwendet wird. Technologien mit noch kleineren Halbleiterstrukturen werden in künftigen PRMA-Generationen genutzt, um deren kommerziellen Einsatz weiter voranzutreiben.